机译:Al2O3 / AlGaN / GaN结构中的界面陷阱态是通过感应耦合等离子体蚀刻AlGaN表面引起的
机译:通过AlGaN表面的电感耦合等离子体刻蚀在Al_2O_3 / AlGaN / GaN结构中产生界面陷阱态
机译:Cl_2 / Ar / BCl_3电感耦合等离子体对GaN / AlGaN异质结构的非选择性刻蚀
机译:SiCl_4气体感应耦合等离子体反应离子刻蚀用于嵌入式AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管
机译:基于CL_2 / AR的GaN / AlGaN结构的电感耦合等离子体蚀刻
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积技术的GaN / AlGaN Hemts钝化性能分析